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功率器件SJ-MOSFET产品优势及应用点击查看选型表

SJ-MOSFET产品优势

晶圆工艺: 采用（yòng）2.5代（dài）深（shēn）槽（ Deep-Trench ）超结工艺，更少的（de）光罩层数，生产周期更短，更具（jù）成本优势
低内阻（zǔ）: 特殊的超结结构让高压超结MOS内阻（zǔ）在同样面积（jī）情（qíng）况下降（jiàng）低到VDMOS的1/3-1/5
更高效（xiào）率（lǜ）: 较（jiào）高的轻载，满载效率，超低的导通内阻，有（yǒu）效的降低导通、开关（guān）损耗
低温升: 较低的功耗，有（yǒu）效（xiào）的降低电源整体的（de）工作温度（dù），延（yán）长（zhǎng）电源的使用寿（shòu）命
易用性: 使用（yòng）过程中简单易用，驱动电流需求（qiú）小，对（duì）新一（yī）代高速（sù）开关电源提供有力的支（zhī）持
应用范（fàn）围广: 适宜于对系（xì）统（tǒng）效率有（yǒu）更高要求的照明应用（yòng）、各（gè）类电源、适配器（qì）及智能手机、平板电脑充（chōng）电（diàn）器中（zhōng），以及大功率充电（diàn）桩（zhuāng）， LED电源、通讯、服务器电（diàn）源等

SJ-MOSFET产品（pǐn）应用（yòng）